[发明专利]一种基于量子点调控导电细丝定位的忆阻器及其制备方法有效
| 申请号： | 202110483800.3 | 申请日： | 2021-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN113206195B | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 孙华军;王涛;白娜;缪向水 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 许恒恒 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： |
本发明属于微电子器件技术领域，公开了一种基于量子点调控导电细丝定位的忆阻器及其制备方法，该忆阻器自下而上包括基底、下电极层、功能层、量子点层和上电极层，其中，功能层采用的材料为HfO |
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| 搜索关键词： | 一种 基于 量子 调控 导电 细丝 定位 忆阻器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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