[发明专利]低噪声硅锗图像传感器

摘要

本公开提供低噪声硅锗SiGe图像传感器。在一个实施例中，一种图像传感器包含布置在安置在半导体衬底中的像素阵列的行及列中的多个像素。个别像素的光电二极管经配置以接收穿过所述半导体衬底的被照射表面的入射光。所述半导体衬底包含：半导体材料的第一层，其具有硅Si；及半导体材料的第二层，其具有硅锗Si1‑xGex。Ge的浓度x穿过所述第二层的厚度的至少一部分逐渐变化。每一光电二极管包含：第一掺杂区，其延伸穿过半导体材料的所述第一层及半导体材料的所述第二层；及第二掺杂区，其延伸穿过半导体材料的所述第一层及半导体材料的所述第二层。