[发明专利]过电压保护装置在审

专利信息
申请号: 202110478548.7 申请日: 2015-08-13
公开(公告)号: CN113013861A 公开(公告)日: 2021-06-22
发明(设计)人: 杜志德;秦傳芳;杜尧生 申请(专利权)人: 力特半导体(无锡)有限公司
主分类号: H02H9/04 分类号: H02H9/04;H01C7/12;H01C7/102;H01L29/87
代理公司: 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 代理人: 秦晨
地址: 214142 江苏省无锡市中华*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及过电压保护装置,可以包括:具有第一表面和第二表面的金属氧化物变阻器(MOV);具有第一外表面和第二外表面并且包括半导体消弧装置的半导体基板,半导体消弧装置包括布置为彼此电串联的多个半导体层,半导体基板安置在金属氧化物变阻器的第一侧上;安置在MOV的第二表面和半导体基板的第一外表面之间的导电区域;安置在MOV的第一表面上的第一电触件;以及安置在半导体基板的第二外表面上的第二电触件。
搜索关键词: 过电压 保护装置
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于力特半导体(无锡)有限公司,未经力特半导体(无锡)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202110478548.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top