[发明专利]过电压保护装置

权利要求书

1.一种过电压保护装置，包括：

具有第一表面和第二表面的金属氧化物变阻器(MOV)；

半导体基板，其具有第一外表面和第二外表面，并且包括半导体消弧装置，所述半导体消弧装置包括彼此电串联布置的多个半导体层，所述半导体基板设置在所述金属氧化物变阻器的第一侧上；

设置在金属氧化物变阻器的第二表面和半导体基板的第一外表面之间的导电区域；第一电触件设置在金属氧化物变阻器的第一表面上；以及

设置在半导体基板的第二外表面上的第二电触件；

其中，半导体消弧装置包括：

内部n-型层；

设置在第一外表面上的第一外部n-型层；

设置在第二外表面上的第二外部n-型层；

设置在第一外部n-型层和内部n-型层之间的第一p-型层；以及

设置在第二外部n-型层和内部n-型层之间的第二p-型层。

2.根据权利要求1所述的过电压保护装置，其中，所述金属氧化物变阻器和所述半导体消弧装置在所述第一电触件和所述第二电触件之间电串联。

3.根据权利要求1所述的过电压保护装置，其中所述金属氧化物变阻器包括第一隔绝电压，所述半导体消弧装置包括第二隔绝电压，并且所述过电压保护装置包括等于第一隔绝电压和第二隔绝电压之和的总隔绝电压。

4.根据权利要求1所述的过电压保护装置，其中，所述金属氧化物变阻器包括作为独立装置的第一响应时间，并且其中，所述过电压保护装置包括小于所述第一响应时间的第二响应时间。

5.根据权利要求1所述的过电压保护装置，其中，所述金属氧化物变阻器包括作为独立装置的处于第一电压的第一泄漏电流，并且其中，所述过电压保护装置包括处于所述第一电压的小于所述第一泄漏电流的第二泄漏电流。

6.根据权利要求1所述的过电压保护装置，所述半导体消弧装置和金属氧化物变阻器布置成当外部电压超过阈值时使所述过电压保护装置处于开启状态，并且还布置成当所述外部电压低于阈值时使所述过电压保护装置处于关闭状态。

7.根据权利要求1所述的过电压保护装置，其中，所述第一p-型层的第一部分设置在所述第一外表面上，并且所述第二p-型层的第二部分设置在所述第二外表面上。

8.根据权利要求1所述的过电压保护装置，其中，所述导电区域包括：

设置在所述金属氧化物变阻器的第二表面上的第一导电层；

设置在所述半导体基板的第一外表面上的第二导电层；和

设置在第一导电层和第二导电层之间的第一铜块。

9.根据权利要求1所述的过电压保护装置，其中，所述第二电触件包括：设置在所述半导体基板的第二外表面上的第三导电层；以及设置在所述第三导电层上的第二铜块。

10.根据权利要求1所述的过电压保护装置，其中，所述过电压保护装置包括对称装置，所述对称装置包括响应于施加在第一电触件和第二电触件之间的第一幅度的正外部电压的第一电流-电压特性，并且包括响应于施加在第一电触件和第二电触件之间的所述第一幅度的负外部电压的第二电流-电压特性，所述第二电流-电压特性与所述第一电流-电压特性匹配。