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[发明专利]过电压保护装置-CN202110478548.7在审
发明人：杜志德;秦傳芳;杜尧生 -专利权人：力特半导体(无锡)有限公司
申请日： 2015-08-13 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：本发明涉及过电压保护装置，可以包括：具有第一表面和第二表面的金属氧化物变阻器(MOV)；具有第一外表面和第二外表面并且包括半导体消弧装置的半导体基板，半导体消弧装置包括布置为彼此电串联的多个半导体层，半导体基板安置在金属氧化物变阻器的第一侧上；安置在MOV的第二表面和半导体基板的第一外表面之间的导电区域；安置在MOV的第一表面上的第一电触件；以及安置在半导体基板的第二外表面上的第二电触件。
过电压保护装置

[发明专利]过电压保护装置-CN201580083248.1在审
发明人：杜志德;秦傳芳;杜尧生 -专利权人：力特半导体(无锡)有限公司
申请日： 2015-08-13 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：过电压保护装置(100)可以包括：具有第一表面(114)和第二表面(116)的金属氧化物变阻器(MOV)(102)；具有第一外表面(126)和第二外表面(128)并且包括半导体消弧装置(104)的半导体基板(202)，半导体消弧装置(104)包括布置为彼此电串联的多个半导体层，半导体基板(202)安置在金属氧化物变阻器(102)的第一侧上；安置在MOV(102)的第二表面(116)和半导体基板(202)的第一外表面(126)之间的导电区域(124)；安置在MOV(102)的第一表面(114)上的第一电触件(120)；以及安置在半导体基板(202)的第二外表面(128)上的第二电触件(122)。
半导体基板金属氧化物变阻器过电压保护装置安置第二表面第一表面消弧装置电触件半导体半导体层导电区域电串联