[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理装置在审
| 申请号： | 202110472722.7 | 申请日： | 2021-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN113628950A | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 高良穣二 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;刘芃茜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供等离子体处理方法和等离子体处理装置，能够一边抑制施加到基片整体的等离子体的特性的偏移，一边对边缘环施加直流电压。等离子体处理方法包括：步骤(a)，在腔室的内部生成等离子体；步骤(b)，在生成上述等离子体时，对包围基片周围的边缘环施加直流电压；步骤(c)，在施加上述直流电压时获取上述边缘环的第一电压；步骤(d)，停止施加上述直流电压；步骤(e)，在停止施加上述直流电压时获取上述边缘环的第二电压；和步骤(f)，基于上述第一电压和上述第二电压计算上述直流电压的控制用的参数。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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