[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理装置

说明书

本发明提供等离子体处理方法和等离子体处理装置，能够一边抑制施加到基片整体的等离子体的特性的偏移，一边对边缘环施加直流电压。等离子体处理方法包括：步骤(a)，在腔室的内部生成等离子体；步骤(b)，在生成上述等离子体时，对包围基片周围的边缘环施加直流电压；步骤(c)，在施加上述直流电压时获取上述边缘环的第一电压；步骤(d)，停止施加上述直流电压；步骤(e)，在停止施加上述直流电压时获取上述边缘环的第二电压；和步骤(f)，基于上述第一电压和上述第二电压计算上述直流电压的控制用的参数。

技术领域

本发明涉及等离子体处理方法和等离子体处理装置。

背景技术

例如，专利文献1、2公开了在载置于载置台的基片的周围设置边缘环，对边缘环施加直流电压的等离子体处理装置。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2007-258417号公报

专利文献2：日本特开2019-145729号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明提供一种技术，能够一边抑制施加到基片整体的等离子体的特性的偏移(shift)，一边对边缘环施加直流电压。

用于解决技术问题的技术方案

依照本发明的一个方式，提供一种等离子体处理方法，其包括：步骤(a)，在腔室的内部生成等离子体；步骤(b)，在生成上述等离子体时，对包围基片周围的边缘环施加直流电压；步骤(c)，在施加上述直流电压时获取上述边缘环的第一电压；步骤(d)，停止施加上述直流电压；步骤(e)，在停止施加上述直流电压时获取上述边缘环的第二电压；和步骤(f)，基于上述第一电压和上述第二电压计算上述直流电压的控制用的参数。

发明效果

依照一个方面，能够一边抑制施加到基片整体的等离子体的特性的偏移，一边对边缘环施加直流电压。

附图说明

图1是表示一实施方式的等离子体处理装置的截面示意图。

图2是用于说明倾斜角度的倾斜状态的图。

图3是表示参考例的施加到边缘环的直流电压和倾斜角度的控制例的图。

图4是将一实施方式的鞘层厚度的变动量与参考例比较地进行表示的图。

图5是表示一实施方式的施加到边缘环的直流电压和倾斜角度的控制例的图。

图6是表示与一实施方式的鞘层厚度的变动量对应的直流电压X(DC％)和蚀刻速率的一例的图。

图7是表示一实施方式的测量电路的一例的图。

图8是用于说明一实施方式的测量方法的图。

图9是表示一实施方式的等离子体处理方法(边缘环的电压测量)的流程图。

图10是表示一实施方式的等离子体处理方法(参数的计算)的流程图。

图11是表示一实施方式的参数的初始值和倾斜角度的变化量的一例的图。

附图标记说明

1 腔室

3 上部电极

4 第一板

5 静电吸盘

6 第二板

10a 第一高频电源

10b 第二高频电源