[发明专利]钝化接触结构及其制备方法和应用在审
申请号: | 202110466085.2 | 申请日: | 2021-04-28 |
公开(公告)号: | CN113345969A | 公开(公告)日: | 2021-09-03 |
发明(设计)人: | 叶继春;曾俞衡;闫宝杰;刘尊珂;廖明墩;马典;韩庆玲;程皓;郑晶茗;刘伟 | 申请(专利权)人: | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18 |
代理公司: | 宁波甬致专利代理有限公司 33228 | 代理人: | 李魏 |
地址: | 315201 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种钝化接触结构,属于太阳能电池领域,它包括有衬底,所述衬底的一个表面或两个表面上依次集成有碳氧化硅钝化层和掺杂多晶硅层。本发明实施例提供了一种钝化接触结构,其采用碳氧化硅钝化层替代现有的超薄氧化层,碳氧化硅钝化层中由于碳元素的加入,会调节碳氧化硅钝化层薄膜的膨胀系数,提高其稳定性,保证其完整性;本发明实施例还提供了一种钝化接触结构的制备方法,其采用碳氧化硅钝化层替代现有的超薄氧化层,在长时间高温条件下,碳氧化硅钝化层界面处的氢不易向外释放,掺杂多晶硅中的掺杂原子不会过度扩散;本发明实施例还提供了一种钝化接触结构的应用,应用于太阳能电池,提高电池效率。 | ||
搜索关键词: | 钝化 接触 结构 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的