[发明专利]电池级单晶四氧化三锰制备装置及方法在审
申请号: | 202110459602.3 | 申请日: | 2021-04-27 |
公开(公告)号: | CN112897583A | 公开(公告)日: | 2021-06-04 |
发明(设计)人: | 胡义华 | 申请(专利权)人: | 四川青源新材料有限公司 |
主分类号: | C01G45/02 | 分类号: | C01G45/02;H01M4/505;H01M10/0525 |
代理公司: | 北京远大卓悦知识产权代理有限公司 11369 | 代理人: | 卞静静 |
地址: | 628115 四川省广元*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了电池级单晶四氧化三锰制备装置,包括回转窑,所述回转窑内部至少设置一个破坏包裹机构,所述破坏包裹机构包括多个阻挡齿和研辊,多个所述阻挡齿间隔环设在所述回转窑内壁,所述研辊放置于窑尾与多个所述阻挡齿之间。本发明还提供了电池级单晶四氧化三锰制备方法。本发明能够制得电池级单晶四氧化三锰,较好地满足锰酸锂电池正极材料前驱体的要求。 | ||
搜索关键词: | 电池 级单晶四 氧化 制备 装置 方法 | ||
【主权项】:
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