[发明专利]存储器单元、存储器系统与存储器单元的操作方法在审
| 申请号： | 202110457682.9 | 申请日： | 2021-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN113314168A | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 王屏薇;陈瑞麟;林祐宽 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;H01L43/08 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供存储器单元、存储器系统与存储器单元的操作方法。存储器单元的第一层包括一第一晶体管以及一第二晶体管。第一晶体管和第二晶体管以交叉耦接配置彼此连接。第一晶体管的一第一漏极结构是电性耦接到第二晶体管的一第一栅极结构。第二晶体管的一第二漏极结构是电性耦接至第一晶体管的一第二栅极结构。存储器单元的第二层包括电性耦接于第一晶体管的第一漏极结构的一第一磁穿隧接面元件，以及电性耦接于第二晶体管的第二漏极结构的一第二磁穿隧接面元件。第二层位于第一层的上方。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 单元 系统 操作方法 | ||
【主权项】：
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