[发明专利]一种坩埚结构有效
| 申请号： | 202110452826.1 | 申请日： | 2021-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN113151897B | 公开（公告）日： | 2022-08-26 |
| 发明（设计）人： | 陈泽斌;张洁;廖弘基;陈华荣 | 申请（专利权）人： | 福建北电新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 冯洁 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种坩埚结构，涉及碳化硅单晶制备装置领域；该坩埚结构包括坩埚本体、第一导流组件和分流组件；坩埚本体的底部用于放置SiC粉料，坩埚本体的顶部具有用于放置SiC籽晶的放置区域；第一导流组件设置于坩埚本体内，与坩埚本体的内侧壁贴合，且第一导流组件包括第一导流环，第一导流环两端均具有正对放置区域的第一开口，且第一导流环在坩埚本体底部至顶部方向上尺寸逐渐减小；分流组件包括盖体，盖体盖设于靠近坩埚本体顶部的第一开口外，且与第一导流环间隔设置并与第一导流环形成用于与第一开口连通的间隙，间隙用于供SiC粉料升华后的气氛流通。该坩埚结构能显著减少碳包裹物产生且能有效地减少晶体生长过程中螺旋错位产生。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 坩埚 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福建北电新材料科技有限公司，未经福建北电新材料科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110452826.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种亚克力浇注丝网屏蔽玻璃及其制备方法
- 下一篇：用于开关变换器的控制电路
