[发明专利]一种坩埚结构

权利要求书

1.一种坩埚结构，其特征在于，包括：

坩埚本体，所述坩埚本体的底部用于放置SiC粉料，所述坩埚本体的顶部具有用于放置SiC籽晶的放置区域；

第一导流组件，所述第一导流组件设置于所述坩埚本体内，与所述坩埚本体的内侧壁贴合，且所述第一导流组件包括第一导流环，所述第一导流环两端均具有正对所述放置区域的第一开口，且所述第一导流环在所述坩埚本体底部至顶部方向上尺寸逐渐减小；

分流组件，包括盖体，所述盖体盖设于靠近所述坩埚本体顶部的所述第一开口外，且与所述第一导流环间隔设置并与所述第一导流环形成用于与所述第一开口连通的间隙，所述间隙用于供所述SiC粉料升华后的气氛流通；且所述盖体包括盖本体和延伸盖，所述盖本体与所述坩埚本体的底壁平行设置，所述延伸盖绕所述盖本体周向边缘设置，且一端与所述盖本体连接，另一端向远离所述盖本体且靠近所述坩埚本体的底部的方向倾斜延伸。

2.根据权利要求1所述的坩埚结构，其特征在于：

所述第一导流环呈倒置的圆锥状结构设置，且所述第一导流环靠近所述坩埚本体底部的所述第一开口的直径大于所述第一导流环靠近所述坩埚本体顶部的所述第一开口的直径。

3.根据权利要求1所述的坩埚结构，其特征在于：

所述第一导流组件还包括第一安装环，所述第一安装环具有第一安装内腔，所述第一导流环安装于所述第一安装内腔内；所述第一安装环的外径与所述坩埚本体的内径相匹配，以使所述第一安装环的外周面能与所述坩埚本体的内周面贴合。

4.根据权利要求3所述的坩埚结构，其特征在于：

沿所述坩埚本体的底部至顶部的方向上，所述第一安装环的尺寸大于或等于所述第一导流环的尺寸。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的坩埚结构，其特征在于：

所述分流组件还包括多个连接件，多个所述连接件间隔设置于所述盖体与所述第一导流环之间。

6.根据权利要求3或4所述的坩埚结构，其特征在于：

所述坩埚本体还包括第二导流组件，所述第二导流组件设置于所述坩埚本体内，与所述坩埚本体的内侧壁贴合；所述第二导流组件盖设于所述分流组件靠近所述坩埚本体顶部的一端，与所述盖体间隔设置；所述第二导流组件包括第二导流环，所述第二导流环两端均具有正对所述放置区域的第二开口，且所述第二导流环在所述坩埚本体底部至顶部方向上的尺寸逐渐减小，以使从所述间隙流出的气氛能通过所述第二开口后向所述放置区域流动。

7.根据权利要求6所述的坩埚结构，其特征在于：

所述第二导流环呈倒置的圆锥状结构设置，且所述第二导流环靠近所述坩埚本体底部的所述第二开口的直径大于所述第二导流环靠近所述坩埚本体顶部的所述第二开口的直径。

8.根据权利要求6所述的坩埚结构，其特征在于：

所述第二导流组件还包括第二安装环，所述第二安装环具有第二安装内腔，所述第二导流环安装于所述第二安装内腔内；所述第二安装环的外径与所述坩埚本体的内径相匹配，以使所述第二安装环的外周面能与所述坩埚本体的内周面贴合。

9.根据权利要求8所述的坩埚结构，其特征在于：

所述第二安装环的底部与所述第一安装环的顶部抵接配合，且沿所述坩埚本体的底部至顶部的方向上，所述第二安装环的尺寸大于或等于所述第二导流环的尺寸。