[发明专利]光掩模的制造方法在审

专利信息
申请号: 202110451887.6 申请日: 2021-04-26
公开(公告)号: CN113568270A 公开(公告)日: 2021-10-29
发明(设计)人: 尾岛省二郎;山田慎吾;森山久美子 申请(专利权)人: 株式会社SK电子
主分类号: G03F1/32 分类号: G03F1/32;G03F1/66;G03F1/62
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 龙淳;徐飞跃
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种能够以抑制曝光时的重合误差的产生的方式形成具有不同光学特性的图案的光掩模的制造方法。在该光掩模的制造方法中,准备在透射性基片上具有半透射膜、中间膜、上层膜的光掩模坯件,对形成在上层膜上的光致抗蚀剂膜进行曝光,形成曝光量不同的第一区域、第二区域和第三区域。之后,选择性地去除第一区域,蚀刻上层膜。之后,选择性地去除第二区域,蚀刻半透射膜,且蚀刻上层膜和中间膜。之后,去除第三区域。
搜索关键词: 光掩模 制造 方法
【主权项】:
暂无信息
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