[发明专利]光掩模的制造方法在审
申请号: | 202110451887.6 | 申请日: | 2021-04-26 |
公开(公告)号: | CN113568270A | 公开(公告)日: | 2021-10-29 |
发明(设计)人: | 尾岛省二郎;山田慎吾;森山久美子 | 申请(专利权)人: | 株式会社SK电子 |
主分类号: | G03F1/32 | 分类号: | G03F1/32;G03F1/66;G03F1/62 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;徐飞跃 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种能够以抑制曝光时的重合误差的产生的方式形成具有不同光学特性的图案的光掩模的制造方法。在该光掩模的制造方法中,准备在透射性基片上具有半透射膜、中间膜、上层膜的光掩模坯件,对形成在上层膜上的光致抗蚀剂膜进行曝光,形成曝光量不同的第一区域、第二区域和第三区域。之后,选择性地去除第一区域,蚀刻上层膜。之后,选择性地去除第二区域,蚀刻半透射膜,且蚀刻上层膜和中间膜。之后,去除第三区域。 | ||
搜索关键词: | 光掩模 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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