[发明专利]基于元胞结构的沟槽型肖特基二极管器件结构及制造方法在审
| 申请号： | 202110448706.4 | 申请日： | 2021-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN113054039A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 李恩求;李铁生;杨乐;刘琦 | 申请（专利权）人： | 龙腾半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329;H01L29/06 |
| 代理公司： | 西安新思维专利商标事务所有限公司 61114 | 代理人： | 李罡 |
| 地址： | 710018 陕西省西安市未*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及基于元胞结构的沟槽型肖特基二极管器件结构，所述器件采用蜂窝状点阵排列的元胞结构，在整个元胞区上方覆盖有肖特基势垒金属，元胞区相邻沟槽之间不连通，肖特基势垒之间连通。本发明的元胞结构采用蜂窝式的沟槽分布，硅表面沟槽与沟槽之间除了沟槽侧壁的氧化物外，其余部分均为肖特基接触区域，这样在保证减小表面电场的前提下，将肖特基接触区域最大化，从而实现用相同的芯片面积达到VF大幅下降，进而降低二极管导通损耗的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 结构 沟槽 型肖特基 二极管 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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