[发明专利]零层刻蚀方法在审
| 申请号： | 202110447399.8 | 申请日： | 2021-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN113223939A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 姚振海;吴长明 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请公开了一种零层刻蚀方法，该方法应用于目标芯片产品的制作过程中，零层光刻是在制作过程中在目标层次的工序之前进行的光刻，目标层次是晶圆上不形成光刻对位标记的层次结构，该方法包括：在晶圆上覆盖光阻；通过零层掩模板，以目标产品对应的曝光步长进行曝光，在目标区域曝光出对准图形，零层掩模板上形成有可应用于不同芯片产品的对准图形；进行刻蚀，刻蚀至目标深度；去除光阻。本申请通过在目标芯片产品的零层刻蚀过程中，通过形成有不同可应用于不同芯片产品的对准图形的零层掩模板，基于目标芯片产品对应的曝光步长进行曝光，因此不需要设计目标芯片产品的专用零层曝光掩模板，降低了制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
