[发明专利]去除氮化镓表面污染物的方法及氮化镓基材在审
| 申请号： | 202110424840.0 | 申请日： | 2021-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN113231386A | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | 刘婷 | 申请（专利权）人： | 南京纳科半导体有限公司 |
| 主分类号： | B08B3/08 | 分类号： | B08B3/08;B08B7/00;B08B3/12;B08B3/10;B08B3/02;H01L21/02;H01L29/20 |
| 代理公司： | 苏州中合知识产权代理事务所(普通合伙) 32266 | 代理人： | 罗楠 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市浦*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种去除氮化镓表面污染物的方法及氮化镓基材，属于半导体技术领域，去除氮化镓表面污染物的方法包括以下步骤：将预清洗的氮化镓样品浸入清洗液中浸泡，所述清洗液为双氧水和碱液的混合溶液；将浸泡结束后的氮化镓样品取出、冲洗、干燥；将干燥后的氮化镓样品在混合气氛中热处理，所述混合气氛由氮气、氢气和氨气组成。本发明通过双氧水和碱液的混合溶液刻蚀掉氮化镓表面的硅污染物，并形成均匀的致密氧化薄膜，防止氮化镓表面再次被空气中的硅杂质污染；再在混合气氛下处理氮化镓样品，可以使氮化镓表面的氧化薄膜分解，得到原子级清洁的氮化镓表面，以利于后续的二次外延生长，可以减少漏电流现象，提升氮化镓器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 去除 氮化 表面 污染物 方法 基材 | ||
【主权项】：
暂无信息
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