[发明专利]制备111晶面择优取向铂铱薄膜热电偶的方法有效
| 申请号： | 202110423379.7 | 申请日： | 2021-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN113463036B | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 罗炳威;罗飞;周海涛;刘大博;马可欣;田野 | 申请（专利权）人： | 中国航发北京航空材料研究院 |
| 主分类号： | C23C14/30 | 分类号： | C23C14/30;C23C14/08;C23C14/16;C23C14/02;C23C14/35;C23C14/58;G01K7/02;F01D5/28 |
| 代理公司： | 中国航空专利中心 11008 | 代理人： | 仉宇 |
| 地址： | 100095 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及在金属表面制备111晶面择优取向铂铱薄膜热电偶的方法，所述金属表面为曲面，其中铂和铱的晶面择优取向111，包括如下步骤：步骤1、通过物理气相沉积工艺在金属工件表面沉积钇稳定的氧化锆(YSZ)结合涂层；步骤2、通过磁控溅射工艺在结合涂层上制备晶面择优取向的薄膜热电偶；步骤3、具有所述薄膜热电偶的金属工件进行热处理；步骤4、在沉积电极的位置，对金属工件加工通孔。本发明的薄膜热电偶以牢固的结合涂层为沉积界面，与高温合金叶片的过渡界面较少，应力界面少，不容易脱落，且厚度薄，测温精度高。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 111 择优取向 薄膜 热电偶 方法 | ||
【主权项】：
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