[发明专利]多铁异质结磁传感器、其制备方法及电子设备在审
| 申请号： | 202110420439.X | 申请日： | 2021-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN113241401A | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | 马炳和;赵珂藜;罗剑;张彧晖;邓进军 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | H01L41/12 | 分类号： | H01L41/12;H01L41/20;H01L41/06;H01L41/47;B81C1/00 |
| 代理公司： | 深圳国新南方知识产权代理有限公司 44374 | 代理人： | 周雷 |
| 地址： | 710000 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种多铁异质结磁传感器、其制备方法及电子设备，所述磁传感器包括：具有背腔的基底以及固设于基底表面的压电振膜和磁致伸缩层，磁致伸缩层容置于背腔内，压电振膜设于基底背离背腔一侧；基底包括间隔设置围设形成背腔的两部分，基底的其中一部分包括支撑部和悬臂梁，悬臂梁一端固设于支撑部，另一端悬置于背腔上，压电振膜和磁致伸缩层固设于悬臂梁上；压电振膜包括设于基底的电极层以及夹设于电极层之间的压电层。通过以上方式，本发明使用磁致伸缩层的磁致伸缩效应、ΔE效应以及压电结构的正压电、逆压电效应，实现一个多铁异质结磁传感器可以通过两种检测模式下对全频段磁场信号的检测，同时使用MEMS技术，缩小器件尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 多铁异质结磁 传感器 制备 方法 电子设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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