[发明专利]半导体器件的制造方法及半导体器件在审
| 申请号： | 202110412266.7 | 申请日： | 2021-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN115223944A | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | 袁盼;张强;应战 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 孙宝海;阚梓瑄 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制造方法及半导体器件。该半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底包括冗余区和阵列区；在冗余区和阵列区分别依序形成介电层、导电层以及掩膜结构层；图形化掩膜结构层，形成定位孔；沉积光刻胶层；去除阵列区中的光刻胶层；在阵列区中，沿定位孔图形化导电层、介电层和部分半导体衬底，去除具有定位孔的掩膜结构层；在阵列区中，去除介电层上的导电层，形成位线接触孔。本发明的半导体器件的制造方法，能够有效去除阵列区中位线结构的对应于形成外围栅极时的导电层部分，减少寄生电容，并且工艺简单。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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