[发明专利]一种Ag/MoSe2有效

专利信息
申请号: 202110411575.2 申请日: 2021-04-16
公开(公告)号: CN113594358B 公开(公告)日: 2023-01-31
发明(设计)人: 坚佳莹;冯浩;张文力;董芃凡;常洪龙;坚增运 申请(专利权)人: 西安工业大学
主分类号: H10N70/20 分类号: H10N70/20;H10B63/00
代理公司: 西安新思维专利商标事务所有限公司 61114 代理人: 黄秦芳
地址: 710032 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种Ag/MoSe2‑PMMA/Cu阻变存储器的制备方法,具体为:采用水热法合成麻团状单层MoSe2团簇,将其采用真空抽滤法制备MoSe2薄膜,并将该薄膜与PMMA薄膜复合形成MoSe2‑PMMA薄膜作为阻变功能层材料制备Ag/MoSe2‑PMMA/Cu阻变存储器。发明将单层MoSe2团簇与PMMA形成复合功能层制备Ag/MoSe2‑PMMA/Cu阻变存储器,PMMA薄膜可以将MoSe2薄膜封装在衬底上,使MoSe2薄膜不易被氧化,并且旋涂制备PMMA薄膜时会将MoSe2薄膜凹陷部分填满,使MoSe2‑PMMA复合薄膜厚度均匀且表面光滑,从而提高了阻变存储器的耐受性。
搜索关键词: 一种 ag mose base sub
【主权项】:
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