[发明专利]一种光电探测器结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202110396754.3 | 申请日： | 2021-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN113270504A | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 亨利·H·阿达姆松;赵雪薇;王桂磊;罗雪 | 申请（专利权）人： | 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/105;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 史晶晶 |
| 地址： | 510535 广东省广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体生产领域，特别涉及一种光电探测器结构及其制备方法。一种光电探测器结构包括：衬底；第一氧化硅层；重复交替叠加的多晶硅层和第二氧化硅层，氧化铝层，P‑I‑N堆叠层。制备方法：在衬底上形成锗缓冲层；形成本征半导体层；形成P型半导体层；形成氧化铝层，得到衬底A；在另一衬底上形成第一氧化硅层，重复交替形成多晶硅层和第二氧化硅层，形成衬底B；将衬底A和衬底B键合；去除衬底A中的衬底和锗缓冲层；形成N型半导体层。本发明在PIN堆叠结构下方设有多晶硅/氧化硅叠层，这样利于增强器件内部光学反射，在器件内部形成光学谐振腔，增强其光学谐振腔效应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光电 探测器 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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