[发明专利]一种晶界层半导化陶瓷基片用氧化剂及其涂覆方法在审

申请号：	202110388803.9	申请日：	2021-04-12
公开（公告）号：	CN113072376A	公开（公告）日：	2021-07-06
发明（设计）人：	何创创;庞锦标;杨俊;王丹琴;韩玉成;尚勇	申请（专利权）人：	中国振华集团云科电子有限公司
主分类号：	C04B35/453	分类号：	C04B35/453;C04B35/622;H01G4/12;C04B35/47;C04B41/90
代理公司：	贵阳中工知识产权代理事务所 52106	代理人：	杨成刚
地址：	550018 贵州省贵***	国省代码：	贵州;52
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摘要：	一种晶界层半导化陶瓷基片用氧化剂及其涂覆方法，组分按质量百分比为：Bi2O3 40％～70％、Pb3O4 20％～50％、CuO 5％～20％、B2O3 10％～15％、Al2O3 5％～15％、NiO 0.1％～5％、MnO2 0.1％～5％。所得晶界层陶瓷基片介电常数为30000±3000，介电损耗0.3％～0.8％，绝缘电阻≥1011Ω，容量温度变化率≤±15％(‑55℃～125℃)，介电常数允许偏差＜±10％，解决了现有氧化剂及其涂覆方法制备的电容器绝缘电阻低、电容量波动范围大等问题。决定了晶界层单层陶瓷电容器的主要性能，适用于批量生产，推动了高性能、小型化单层陶瓷电容器的发展。
搜索关键词：	一种晶界层半导化陶瓷基片用氧化剂及其方法
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