[发明专利]一种具有磁控效应的半侵入式脑机接口柔性电极材料的制备方法有效

专利信息
申请号: 202110385929.0 申请日: 2021-04-12
公开(公告)号: CN113150322B 公开(公告)日: 2022-11-18
发明(设计)人: 董旭峰;齐民;贺光伟 申请(专利权)人: 大连理工大学
主分类号: C08J3/075 分类号: C08J3/075;C08F220/54;C08F220/06;C08F222/38;C08K3/22;C08K3/04;A61B5/268;A61B5/266;A61B5/291
代理公司: 大连理工大学专利中心 21200 代理人: 温福雪
地址: 116024 辽*** 国省代码: 辽宁;21
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明属于脑机接口技术领域,公开了一种具有磁控效应的半侵入式脑机接口柔性电极材料的制备方法,由聚(N‑异丙基丙烯酰胺‑甲基丙烯酸)温敏性水凝胶前体溶液和Fe3O4@GO复合颗粒通过物理混合、再经凝胶化制备而成的复合材料。P(NIPAM‑MAA)温敏性水凝胶前体溶液以N‑异丙基丙烯酰胺和甲基丙烯酸为单体;凝胶过程中以N,N‑亚甲基双丙烯酰胺为交联剂,以过硫酸铵为引发剂,以N.N.N'.N'‑四甲基乙二胺为催化剂。本发明可解决已有半侵入式脑机接口电极材料因褶皱缠结、展开不充分等原因导致的时空分辨率低、监测范围小等问题,是一种兼具安全性与高信噪比的脑机接口电极材料。
搜索关键词: 一种 具有 效应 侵入 式脑机 接口 柔性 电极 材料 制备 方法
【主权项】:
暂无信息
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