[发明专利]一种具有磁控效应的半侵入式脑机接口柔性电极材料的制备方法有效
申请号: | 202110385929.0 | 申请日: | 2021-04-12 |
公开(公告)号: | CN113150322B | 公开(公告)日: | 2022-11-18 |
发明(设计)人: | 董旭峰;齐民;贺光伟 | 申请(专利权)人: | 大连理工大学 |
主分类号: | C08J3/075 | 分类号: | C08J3/075;C08F220/54;C08F220/06;C08F222/38;C08K3/22;C08K3/04;A61B5/268;A61B5/266;A61B5/291 |
代理公司: | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人: | 温福雪 |
地址: | 116024 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: |
本发明属于脑机接口技术领域,公开了一种具有磁控效应的半侵入式脑机接口柔性电极材料的制备方法,由聚(N‑异丙基丙烯酰胺‑甲基丙烯酸)温敏性水凝胶前体溶液和Fe |
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搜索关键词: | 一种 具有 效应 侵入 式脑机 接口 柔性 电极 材料 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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