[发明专利]一种基于紫外图谱的绝缘子污秽状态评估方法在审
申请号: | 202110383694.1 | 申请日: | 2021-04-09 |
公开(公告)号: | CN113065484A | 公开(公告)日: | 2021-07-02 |
发明(设计)人: | 刘云鹏;来庭煜;杨家骏;刘嘉硕;裴少通;李泳霖 | 申请(专利权)人: | 华北电力大学(保定) |
主分类号: | G06K9/00 | 分类号: | G06K9/00;G06K9/62;G06K9/40;G06N3/04;G06N3/08;G06T7/66 |
代理公司: | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人: | 李兴林 |
地址: | 071000 河北*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于紫外图谱的绝缘子污秽状态评估方法,包括:S1,绝缘子紫外图像预处理:对现场监测获取的紫外图像进行图像预处理,保留紫外图像中的主光斑及其周围的微小光斑,得到光斑图像;S2,基于深度学习卷积神经网络算法对绝缘子污秽状态分类:基于预处理后的光斑图像,按照一定比例随机选取训练集与测试集,以不同类型的光斑图像的每一个像素信息作为输入,进行特征提取;将特征参数输入卷积神经网络进行训练,得出绝缘子属于不同污秽程度下的概率。本发明提供的基于紫外图谱的绝缘子污秽状态评估方法,通过对绝缘子紫外图像预处理、带入卷积神经网络进行训练,自动判断出绝缘子的污秽状态,提高绝缘子在线监测的实时性和准确性。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 紫外 图谱 绝缘子 污秽 状态 评估 方法 | ||
【主权项】:
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