[发明专利]基于界面偶极分子修饰的钙钛矿太阳能电池及其制备方法有效
申请号: | 202110378798.3 | 申请日: | 2021-04-08 |
公开(公告)号: | CN113193121B | 公开(公告)日: | 2022-11-29 |
发明(设计)人: | 刘明侦;崔翔;胡逾超;李发明 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L51/46 | 分类号: | H01L51/46;H01L51/44;H01L51/48 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 甘茂 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明属于太阳能电池技术领域,涉及钙钛矿太阳能电池及其制备方法,具体提供一种基于界面偶极分子修饰的钙钛矿太阳能电池及其制备方法。本发明通过在钙钛矿太阳能电池的钙钛矿吸光层与空穴传输层之间引入2‑噻吩甲胺分子薄膜层、作为用于界面修饰的偶极分子修饰层,在空穴传输层/钙钛矿吸光层界面形成定向排列的偶极分子层、构建偶极电场,同时实现了界面缺陷的钝化与载流子提取效率的提升;进而使得钙钛矿太阳能电池实现了更高的短路电流密度以及开路电压,具有更高的光电转换效率;并且,2‑噻吩甲胺结构简单、价格低廉且易于大规模制备,因而使得本发明钙钛矿太阳能电池具有高效、稳定且低成本的优点。 | ||
搜索关键词: | 基于 界面 分子 修饰 钙钛矿 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学,未经电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202110378798.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择