[发明专利]MEMS麦克风的制造方法在审
| 申请号： | 202110353215.1 | 申请日： | 2021-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN112738704A | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 张彰 | 申请（专利权）人： | 中芯集成电路制造（绍兴）有限公司 |
| 主分类号： | H04R31/00 | 分类号： | H04R31/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 312000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种MEMS麦克风的制造方法，通过在贯穿半导体层的开口的侧壁上覆盖钝化层和第二介质层，且使得所述钝化层暴露出所述开口底壁上的第一介质层，并暴露出所述开口的底角处与所述第一介质层相接的部分半导体层，以及使得所述第二介质层覆盖在所述开口底角处暴露出的半导体层的侧壁上，且膜厚自上而下逐渐降低，由此，可以在所述钝化层的保护下，能够通过同一道各向同性刻蚀工艺刻蚀去除所述第二介质层并将所述开口的底角刻蚀为圆角，从而在振膜向着半导体层运动且接触该圆角时能形成面接触，避免振膜因接触开口尖锐的底角而破裂的问题，提升器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | mems 麦克风 制造 方法 | ||
【主权项】：
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