[发明专利]光掩模结构和光刻设备在审
申请号: | 202110342840.6 | 申请日: | 2021-03-30 |
公开(公告)号: | CN113238454A | 公开(公告)日: | 2021-08-10 |
发明(设计)人: | 王保光;马芳 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F1/38;G03F1/40;B08B17/02 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 周耀君 |
地址: | 201315*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明提供一种光掩模结构和一种光刻设备。所述光掩模结构包括掩模版和防尘膜框架,所述掩模版包括芯片图案区域和位于芯片图案区域周围的边缘区域,所述边缘区域内设置有透光结构;所述防尘膜框架设置在所述掩模版的背面,所述防尘膜框架在掩模版背面的正投影位于边缘区域内,且所述透光结构设置于防尘膜框架在掩模版背面的正投影的范围内。利用所述光掩模结构进行曝光时,曝光光线周围的散射光在透过透光结构后被防尘膜框架阻挡而难以传递到基片表面,可以降低在基片表面产生非必要图像的风险,有助于提高曝光质量及生产良率。所述光刻设备利用上述光掩模结构进行曝光。 | ||
搜索关键词: | 光掩模 结构 光刻 设备 | ||
【主权项】:
暂无信息
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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