[发明专利]热处理装置在审
| 申请号： | 202110339403.9 | 申请日： | 2021-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN113808967A | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 小野寺胜也;笠次克尚;西冈昌浩;青栁圭太 | 申请（专利权）人： | 光洋热系统股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 于靖帅;杨俊波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供热处理装置，在立式的热处理装置中，能够抑制从容器底侧的开口部散热，并且减小底部区域中的水平方向上的热偏差，还能够使热处理装置的制造成本和运用成本更低价。热处理装置(1)具有：立式的管(3)，其在下端部配置有用于被处理物(100)出入的开口部(34)；加热器(22)，其配置于管(3)的周围；物架(43)，其具有在上下方向上分离地设置有多个用于支承被处理物(100)的支承部(51)的结构，该物架(43)在管(3)内对多个被处理物(100)进行保持；以及热射线反射部件(5)，其在上下方向上配置于最下侧的被处理物(100)的下方，用于使来自加热器(22)的热射线向被支承于物架(43)的被处理物(100)反射。 | ||
| 搜索关键词： | 热处理 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
