[发明专利]非易失性存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202110331700.9 | 申请日： | 2019-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN112864168B | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 吴振勇 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B43/50 | 分类号： | H10B43/50;H10B43/20 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 刘健;张殿慧 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种非易失性存储器件包括第一衬底、第二衬底、存储阵列、电路结构、接合结构和屏蔽结构。第二衬底的第二正面面对第一衬底的第一正面。所述存储阵列布置在第一衬底上并且布置在第一衬底的第一正面处。所述电路结构布置在第二衬底上并且布置在第二衬底的第二正面处。所述接合结构布置在所述存储阵列与所述电路结构之间。所述电路结构通所述接合结构与所述存储阵列电连接。所述屏蔽结构布置在所述存储阵列与所述电路结构之间，并且围绕所述接合结构。所述屏蔽结构电连接至电压源。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110331700.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
