[发明专利]嵌入式外延层的制造方法在审
| 申请号： | 202110330203.7 | 申请日： | 2021-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN113140462A | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 涂火金;张瑜 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/08;H01L29/36 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种嵌入式外延层的制造方法，包括步骤：步骤一、对硅衬底进行刻蚀形成凹槽；步骤二、在凹槽中填充嵌入式外延层，包括：步骤21、形成缓冲层；步骤22、在缓冲层的表面上形成主体层；主体层采用在硅中掺杂实现对凹槽两侧的硅衬底提供应力，在外延生长过程中主体层的掺杂浓度为渐变掺杂以消除层错缺陷并进而防止主体层产生坍塌；步骤23、形成盖帽层，由缓冲层、主体层和盖帽层叠加形成嵌入式外延层；缓冲层、主体层和盖帽层的材料相同，缓冲层和盖帽层的掺杂浓度都小于等于主体层的最低掺杂浓度。本发明能防止嵌入式外延层的主体层产生坍塌，从而从而能提高产品的性能和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 嵌入式 外延 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力集成电路制造有限公司，未经上海华力集成电路制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110330203.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：核电厂硼酸综合管理系统及方法
- 下一篇：一种调整SRAM Beta比例的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
