[发明专利]R－T－B系烧结磁体的制造方法在审
| 申请号： | 202110324228.6 | 申请日： | 2021-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN113451033A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 国吉太 | 申请（专利权）人： | 日立金属株式会社 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;H01F1/057 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;吕秀平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明要解决的技术问题在于：提供能够通过抑制烧结体尺寸偏差来减少烧结体的加工余量的R－T－B系烧结磁体的制造方法。解决方案在于：R－T－B系烧结磁体的制造方法包括：准备R－T－B系烧结磁体用合金的粉末的粉碎工序；使用上述粉末制作粉末成型体的成型工序；将上述粉末成型体切断，分割成多个成型体片的切断工序；和对上述多个成型体片中的各个成型体片进行烧结来制作多个烧结体的烧结工序，在上述切断工序中，基于上述粉末成型体的制作中使用的上述粉末的粉体物性数据和上述粉末成型体的粉末成型体物性数据，设定上述粉末成型体的切断间隔。 | ||
| 搜索关键词： | 烧结 磁体 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日立金属株式会社，未经日立金属株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110324228.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：玻璃板及其制造方法
- 下一篇：磁传感器及其制造方法
