[发明专利]一种具有深紫外探测功能的MgGaZnO薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 202110323797.9 | 申请日： | 2021-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN113088907A | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 王东博;罗佳炜;国凤云;刘东昊;王金忠;矫淑杰 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08;G01J1/42 |
| 代理公司： | 哈尔滨龙科专利代理有限公司 23206 | 代理人： | 李智慧 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有深紫外探测功能的MgGaZnO薄膜的制备方法，所述方法包括如下步骤：步骤一、制备MgGaZnO陶瓷靶材；步骤二、将石英衬底和MgGaZnO陶瓷靶材放入磁控溅射设备的真空室中进行磁控溅射，得到MgGaZnO薄膜材料；步骤三、将步骤二得到的MgGaZnO薄膜材料进行高温退火处理，得到MgGaZnO薄膜。该方法制备了一种禁带宽度为5.6eV即探测波段位于220nm处的单一立方相的MgGaZnO薄膜材料，解决了MgZnO日盲紫外探测器薄膜材料高镁组分下存在的分相问题，同时通过Ga掺杂改善薄膜的电学性能获得高响应度并且较低的探测波段。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 深紫 探测 功能 mggazno 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
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