[发明专利]一种高亮反极性AlGaInP发光二极管的制备方法在审
| 申请号： | 202110323447.2 | 申请日： | 2021-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN115132885A | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 吴向龙;闫宝华;彭璐;王成新;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 陈桂玲 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高亮反极性AlGaInP发光二极管的制备方法。所述制备方法在ICP刻蚀前先制作第一掩膜和第二掩膜，使得在ICP刻蚀形成切割道的过程中，只需要进行一次刻蚀，但是达到现有技术二次刻蚀的效果，简化了制备工艺，相较于现有制备方法的周期20～25h，本发明的制备方法只需要10～14h，极大地提高了生产效率，同时由于不需要多次光刻和腐蚀，使得产品合格率达到了95％以上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高亮反 极性 algainp 发光二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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