[发明专利]非易失存储器擦除编程方法在审
| 申请号： | 202110319206.0 | 申请日： | 2021-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN113077831A | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 陈涛;汪齐方;冯国友 | 申请（专利权）人： | 普冉半导体（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/14 | 分类号： | G11C16/14;G11C16/10;G11C16/34 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王江富 |
| 地址： | 201210 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种非易失存储器擦除编程方法，擦除操作时，将A类存储区的各存储单元进行标准擦除变为擦除状态1，将B类存储区的各存储单元进行弱擦除改变为弱擦除状态；编程操作时，根据编程数据对所述A类存储区存储单元进行编程，使对应于编程数据1的A类存储区存储单元保持擦除状态，使对应于编程数据0的A类存储区存储单元进行标准编程变为标准编程状态0，同时对B类存储区的各存储单元不进行操作仍维持为弱擦除状态。该非易失存储器擦除编程方法，读出电路能根据A类存储区存储单元同B类存储区存储单元的读出电流之间的大小关系来准确确定A类存储区存储单元所存储的数据，能提高存储器产品存储编程数据的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失 存储器 擦除 编程 方法 | ||
【主权项】：
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