[发明专利]Ti3C2Tx-TiO2纳米管阵列自支撑薄膜电极材料及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 202110313326.X 申请日: 2021-03-24
公开(公告)号: CN113066673B 公开(公告)日: 2022-03-08
发明(设计)人: 马杰;孙怡然 申请(专利权)人: 同济大学
主分类号: H01G11/86 分类号: H01G11/86;H01G11/46;H01G11/30;H01G11/26;H01G11/24;C02F1/469;H01M4/36;H01M4/48;H01M4/583;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 上海科律专利代理事务所(特殊普通合伙) 31290 代理人: 叶凤
地址: 200092 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供了一种Ti3C2Tx‑TiO2纳米管阵列自支撑薄膜电极材料及其制备方法和应用,属于纳米材料领域。该制备方法包括:Ti3AlC2经刻蚀、清洗、剥离、离心得到少层Ti3C2Tx水分散液;Ti3C2Tx水分散液真空抽滤、干燥得到Ti3C2Tx自支撑薄膜;Ti3C2Tx自支撑薄膜在热碱液中反应并辅以一定转速旋转,清洗干燥后得到Ti3C2Tx‑TiO2纳米管阵列自支撑薄膜。本发明制备的Ti3C2Tx‑TiO2纳米管阵列自支撑薄膜电极结构中的Ti3C2Tx‑TiO2纳米管结构较少的晶体缺陷与阵列结构有利于电子传输,纳米管阵列暴露出的大量活性位点有利于吸附离子或目标污染物,其机械性能强,可直接用于超级电容器、电容去离子、电池、电吸附等领域的电极材料。
搜索关键词: ti3c2tx tio2 纳米 阵列 支撑 薄膜 电极 材料 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
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