[发明专利]传感器设备在审
| 申请号: | 202110309218.5 | 申请日: | 2021-03-23 |
| 公开(公告)号: | CN113506811A | 公开(公告)日: | 2021-10-15 |
| 发明(设计)人: | R·图切塔 | 申请(专利权)人: | IMASENIC先进影像公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N9/31 |
| 代理公司: | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人: | 赵楠 |
| 地址: | 西班牙*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明公开了传感器设备。公开了一种从半导体晶圆上的多个层制造的传感器。传感器包括布置在缝合区块中并且具有多个竖直布置的读出线的多个传感器元件,多条竖直布置的选择/复位线和多条水平布置的选择/复位线,该多条水平布置的选择/复位线从右手边缘延伸到相对设置的左手边缘,并且连接到所述多个竖直布置的选择/复位线中的一些。多个读出电路连接到所述多个竖直布置的读出线,并且所述多个竖直布置的读出线中的一些在所述缝合块的所述底部边缘或所述顶部边缘中的一者处具有转向,使得所述多个缝合块中的第一缝合块中的所述多个竖直布置的读出线中的一些连接到所述多个缝合块中的第二邻接缝合块中的所述竖直线中的位移的竖直线。 | ||
| 搜索关键词: | 传感器 设备 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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