[发明专利]一种镁纳米线薄膜及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202110308343.4 | 申请日： | 2021-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN113061860B | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 梁慧 | 申请（专利权）人： | 徐州工程学院 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/18;C23C14/16;B82Y40/00;B82Y30/00;H01M8/04082 |
| 代理公司： | 北京方圆嘉禾知识产权代理有限公司 11385 | 代理人： | 戴嵩玮 |
| 地址： | 221018 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及金属薄膜技术领域，提供了一种镁纳米线薄膜的制备方法，本发明通过控制基底的倾斜角度和基底温度来控制纳米Mg薄膜的形貌。其中，当磁控溅射基底的倾斜角度为60°α89°，倾斜入射，沉积过程中，镁原子的扩散发生在磁控溅射束在膜表面上的投影的方向上，并且在平行于膜表面的方向上的扩散仅由入射角决定，可以使镁纳米线生长为直径均匀且镁纳米线分布均匀；当基底的温度为25～100℃时，能够得到分离良好的镁纳米线。实验结果表明，当基底温度为25℃，基底的倾斜角度为85°时，镁纳米线薄膜中镁纳米线分散良好，纳米线的直径为25～50nm，可以作为储氢固体材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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