[发明专利]基于忆阻器的2T1R阵列及其并行操作方法和算法在审
| 申请号： | 202110297040.7 | 申请日： | 2021-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN113222128A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 鄢勇;刘林 | 申请（专利权）人： | 国家纳米科学中心 |
| 主分类号： | G06N3/063 | 分类号： | G06N3/063;G06N3/04 |
| 代理公司： | 北京市英智伟诚知识产权代理事务所(普通合伙) 11521 | 代理人： | 刘丹妮;姚望舒 |
| 地址： | 100190 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供了一种基于忆阻器的2T1R阵列，所述2T1R阵列包括相互连接的2T1R忆阻器单元电路，所述2T1R忆阻器单元电路由第一个晶体管、第二个晶体管和一个忆阻器构成，所述2T1R阵列为十字交叉结构，且所述2T1R忆阻器单元电路位于阵列的十字交叉点上。还提供了其并行操作方法和算法。本发明的2T1R忆阻器阵列可以并行地同时对所有忆阻器进行置位或复位操作。提升了存内计算读取和写入的并行程度，提升了阵列器件的利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 忆阻器 t1r 阵列 及其 并行 操作方法 算法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国家纳米科学中心，未经国家纳米科学中心许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110297040.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
