[发明专利]一种新型二维CrX2

摘要

本发明公开了一种新型二维CrX2(X＝S或Se)材料的制备方法，包括：1)对反应腔室抽真空，使本底真空达到1.0x100Pa–1.0x10‑3Pa；2)将铬源与添加剂材料混合在一起，使混合物形成第一气态前驱体，处理X源使其形成第二气态前驱体，其中采用CrCl3，CrBr3或CrI3作为铬源，硫粉、硒粉或H2S作为X源；3)在还原性或氧化性气氛下，将第一气态前驱体与第二气态前驱体传质到衬底上进行化学反应，形成二维CrX2材料，X＝S或Se，所述化学反应时衬底采用分段升温及恒温处理。本发明提供的制备方法可以有效提高制备CrX2材料的产率。