[发明专利]一种晶界扩散制备高矫顽力烧结钕铁硼磁体的方法在审
| 申请号： | 202110288806.5 | 申请日： | 2021-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN112927921A | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 马照坤;宋振纶;杨丽景;宋鹏;王庭辉;江杰 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学;中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;H01F41/18;H01F1/057;H01F1/055 |
| 代理公司： | 昆明同聚专利代理有限公司 53214 | 代理人： | 王远同 |
| 地址： | 650000 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶界扩散制备高矫顽力烧结钕铁硼磁体的方法，属于稀土永磁材料技术领域。本发明所述方法采用磁控溅射的方法在烧结钕铁硼磁体表面制备重稀土‑合金元素多层薄膜，然后进行真空热扩散处理工艺，最后经回火处理得到所述高矫顽力钕铁硼磁体；所述热扩散处理工艺的温度为600~900℃，时间为3~10h。本发明所述方法，缩短了溅射重稀土‑合金元素薄膜所需的时间，薄膜扩散深度更深；相比于扩散纯稀土元素的方法，薄膜扩散深度更深，可以进一步提升烧结钕铁硼磁体的矫顽力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 扩散 制备 矫顽力 烧结 钕铁硼 磁体 方法 | ||
【主权项】：
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