[发明专利]n型GaN作为电子传输层的硅纳米晶LED器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202110287323.3 | 申请日： | 2021-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN113517376B | 公开（公告）日： | 2023-02-10 |
| 发明（设计）人： | 于志远;陆明 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/18;H01L33/34;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;陆尤 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于光电照明技术领域，具体为一种n型GaN作为电子传输层的硅纳米晶LED器件及其制备方法。本发明的硅纳米晶LED器件从上到下依次为：正面电极、电子传输层、硅纳米晶发光层、正面黑硅层、硅衬底、背面电极。本发明利用n‑GaN作为电子传输层；利用硅纳米晶作为发光层，与传统的集成电路工艺相兼容，以较低成本实现发光照明，并且有很高的发光强度，在集成显示中具有广泛应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | gan 作为 电子 传输 纳米 led 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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