[发明专利]包括不连续互连区段的磁阻元件和包括多个磁阻元件的磁存储器在审
| 申请号： | 202110285829.0 | 申请日： | 2021-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN113410380A | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | S·马丁;J·罗切;M·德鲁阿尔德 | 申请（专利权）人： | 安塔利斯 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/08;H01L27/22 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 任一方;刘春元 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 包括不连续互连区段的磁阻元件和包括多个磁阻元件的磁存储器。本公开涉及一种用于制造磁阻元件的方法，该磁阻元件包括磁性隧道结MTJ，该磁性隧道结MTJ包括隧道势垒层、第一铁磁层和第二铁磁层；写入电流层；以及互连层，其被配置用于向写入电流层供应写入电流。在互连层中提供间隙，使得互连层包括沿着层平面延伸并串联连接写入电流层的两个不连续互连区段。该方法包括：沉积互连层（50）、写入电流层（30）、第二铁磁层（23）、隧道势垒层（22）和第一铁磁层（21）；在互连层（50）中形成间隙（34）；用间隙材料填充间隙；以及通过执行单个蚀刻步骤来形成支柱（40），直到达到充当停止层的互连层（50）。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 连续 互连 区段 磁阻 元件 磁存储器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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