[发明专利]薄膜传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 202110285360.0 | 申请日： | 2021-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN113061838A | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 谭秋林;杨子锋;姚雪;张磊;熊继军 | 申请（专利权）人： | 中北大学 |
| 主分类号： | C23C14/02 | 分类号： | C23C14/02;C23C14/06;C23C14/08;C23C14/16;C23C14/28;C23C14/58;G01B21/32 |
| 代理公司： | 北京致科知识产权代理有限公司 11672 | 代理人： | 李洪娟;魏红雅 |
| 地址： | 030051 山*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜传感器及其制备方法，该薄膜传感器包括：沉积在金属构件基底上的过渡层；沉积在所述过渡层上的复合绝缘层；沉积在所述复合绝缘层上的应变栅；以及沉积在所述应变栅表面的复合保护层；所述应变栅用于应变测量。本发明将金属构件直接作为基底，在金属构件表面逐层沉积形成高绝缘、高介电常数、高稳定性的耐高温的复合绝缘膜层，以及具有良好抗氧化性能的复合保护层，从而有效提高了薄膜传感器的耐高温性能，使得形成的薄膜传感器能够适用于高于800℃的环境，解决了现有技术薄膜传感器只能适用于低于800℃环境的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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