[发明专利]KDP晶体一维往复运动生长方法在审
| 申请号： | 202110284799.1 | 申请日： | 2021-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN113046820A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 李明伟;周思佳;刘杭;周川;尹华伟;胡志涛;宋洁 | 申请（专利权）人： | 重庆大学 |
| 主分类号： | C30B7/08 | 分类号： | C30B7/08;C30B29/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 400044 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本项目涉及一种KDP晶体一维往复运动生长方法，具有两大优势。一是避免了传统转晶法、二维和三维运动方法存在的极易形成包裹物的三种流动区域：迎流滞止区、背流对流涡胞区和侧壁边界层下游区；二是充分利用KDP晶体的一维对称性，靠往复运动实现可逆剪切流，可逆剪切流具备极佳的生长高质量晶体的水动力学条件，是理论上预测的晶面形貌“恒稳”的方式。该方法有利于实现快速的高质量KDP晶体生长，为惯性约束激光核聚变(ICF)激光装置所需的大尺寸和高质量KDP晶体提供较好的解决方案。 | ||
| 搜索关键词： | kdp 晶体 往复 运动 生长 方法 | ||
【主权项】：
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