[发明专利]KDP晶体一维往复运动生长方法在审
| 申请号： | 202110284799.1 | 申请日： | 2021-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN113046820A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 李明伟;周思佳;刘杭;周川;尹华伟;胡志涛;宋洁 | 申请（专利权）人： | 重庆大学 |
| 主分类号： | C30B7/08 | 分类号： | C30B7/08;C30B29/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 400044 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | kdp 晶体 往复 运动 生长 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种KDP晶体一维往复运动生长方法，其特征在于该方法包括以下步骤：
1)配制生长溶液：根据溶解度公式，配制45-75℃的饱和溶液；
2)过滤、过热溶液：用微孔滤膜过滤溶液，得纯清溶液；将纯清液在饱和温度以上15-20℃恒温过热24小时以上，制得生长溶液；
3)固定籽晶：将切割好的籽晶粘贴于掣晶杆顶端，z向与掣晶杆垂直；
4)生长装置安装和密封：将盛有生长溶液的育晶器置于程序控温水浴中，维持水浴温度略高于饱和温度，将粘有籽晶的掣晶杆置于育晶器上方，上端连接于往复运动机构上，密封生长容器；
5)晶体生长：热平衡后缓慢下籽晶于生长溶液中，微溶后降温至饱和温度以下，启动控制器，开始晶体生长；晶体在水平面内作一维往复运动，往复运动的速度范围为0.02～0.2m/s，距离范围为0.05～0.5m。
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