[发明专利]一种高磁性低稀土含量的钕铁硼磁体的制备方法有效
申请号: | 202110281493.0 | 申请日: | 2019-07-16 |
公开(公告)号: | CN113012925B | 公开(公告)日: | 2022-09-20 |
发明(设计)人: | 吕竹风;姚晶晶;刘龙;王育平 | 申请(专利权)人: | 宁德市星宇科技有限公司 |
主分类号: | H01F41/02 | 分类号: | H01F41/02;H01F1/057;C22C38/14;C22C38/16;C22C33/02;H01F1/08 |
代理公司: | 福州市博深专利事务所(普通合伙) 35214 | 代理人: | 董晗 |
地址: | 352100 福*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明公开了一种高磁性低稀土含量的钕铁硼磁体的制备方法,属于磁体制备技术领域,该制备方法使用锆、钛和铜制成合金粉末,使用镨、钕、硼和铁制成主相粉末,然后将一定量的合金粉末加入到主相粉末中后制成钕铁硼磁体。该制备方法在制备过程中,不使用镝和铽,通过添加Cu、Zr、Ti合金,配合高于1100℃的高温烧结,使得Cu、Zr、Ti的合金晶界限制了主相晶界的移动,阻碍了主相中晶粒的增长,阻断了主相中晶粒之间的磁交换。进而提升了钕铁硼磁体的矫顽力和工作温度,有利于制备得到热稳定性高的磁体,同时不使用稀土金属Dy和Tb,大幅降低了磁体制备的成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 磁性 稀土 含量 钕铁硼 磁体 制备 方法 | ||
【主权项】:
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