[发明专利]一种高磁性低稀土含量的钕铁硼磁体的制备方法有效

专利信息
申请号: 202110281493.0 申请日: 2019-07-16
公开(公告)号: CN113012925B 公开(公告)日: 2022-09-20
发明(设计)人: 吕竹风;姚晶晶;刘龙;王育平 申请(专利权)人: 宁德市星宇科技有限公司
主分类号: H01F41/02 分类号: H01F41/02;H01F1/057;C22C38/14;C22C38/16;C22C33/02;H01F1/08
代理公司: 福州市博深专利事务所(普通合伙) 35214 代理人: 董晗
地址: 352100 福*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 磁性 稀土 含量 钕铁硼 磁体 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种高磁性低稀土含量的钕铁硼磁体的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

步骤1、将按重量百分含量1.5-3%的锆、0.5-2%的钛,余量为铜,配置的材料混合,然后在氩气的保护下进行多次的反复熔炼,最后一次熔炼时将熔化的材料进行速凝铸片,得到合金铸片;

步骤2、将按重量百分含量10-15%的镨、13-18%的钕、0.8-1.5%的硼,余量为铁,配置的材料混合,然后在氩气的保护下进行熔炼,熔炼时将熔化的材料进行速凝铸片,得到主相合金铸片;

步骤3、将合金铸片和主相铸片分别进行氢破,得到合金粉末和主相粉末;

步骤4、在主相粉末中添加主相粉末总重量2-5%的合金粉末并充分混匀,再经气流磨破碎为2.5-3.8μm的钕铁硼粉末;

步骤5、将钕铁硼粉末在2.1T的取向磁场中压制成型,得到压坯,将压坯在1110-1120℃烧结7-9h,然后再经过一级回火和二级回火,得到钕铁硼磁体;

所述步骤5中一级回火的时间为3.5-4h,温度为900-980℃;二级回火的时间为3-4h,温度为600-620℃。

2.根据权利要求1所述的高磁性低稀土含量的钕铁硼磁体的制备方法,其特征在于,所述步骤3的氢破结束后,还包括抽真空脱氢处理,脱氢处理温度为660-680℃,脱氢时间为3-4.5h。

3.根据权利要求1所述的高磁性低稀土含量的钕铁硼磁体的制备方法,其特征在于,所述步骤1中锆的含量为2%,钛的含量为0.8%;所述步骤2中镨的含量为15%,钕的含量为16%,硼的含量为1.5%。

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