[发明专利]一种高一致性的Micro LED芯片及其制作方法在审
| 申请号： | 202110278339.8 | 申请日： | 2021-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN112951966A | 公开（公告）日： | 2021-06-11 |
| 发明（设计）人： | 武杰;易翰翔;郝锐;李玉珠;吴光芬 | 申请（专利权）人： | 广东德力光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/58;H01L33/14;H01L33/00;H01L27/15 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 颜希文;管莹 |
| 地址： | 529000 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及Micro LED芯片技术领域，公开了一种高一致性的Micro LED芯片，包括衬底和设于衬底上的GaN基外延片，GaN基外延片自下而上依次设有N型GaN层、发光量子阱层和P型GaN层，N型GaN层上镀设有N型电极层，P型GaN层上镀设有P型电极层，GaN基外延片设有多个纵横交错分布的隔离槽，隔离槽将GaN基外延片划分为多个矩阵阵列布置的发光单元，隔离槽位于N型GaN层的上方且裸露N型GaN层的顶面，隔离槽内的N型GaN层的裸露顶面镀设有与N型电极层一体成型的内置N型电极层，内置N型电极层的侧边与发光单元相隔。同时本发明还公开了该芯片的制作方法，采用本发明，内置N型电极层的设置使电流在N型GaN层扩散时均匀分布，从而确保各发光单元发光时的亮度保持一致。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 一致性 micro led 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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