[发明专利]外延片处理方法、外延片和Micro-LED阵列在审
| 申请号： | 202110275337.3 | 申请日： | 2021-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN113130307A | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 刘召军;刘时彪;莫炜静;管云芳 | 申请（专利权）人： | 深圳市思坦科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/263 | 分类号： | H01L21/263;H01L33/00;H01L33/14;H01L27/15 |
| 代理公司： | 深圳中细软知识产权代理有限公司 44528 | 代理人： | 孙凯乐 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙华区大浪街*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种外延片处理方法，包括如下步骤：在初始外延片上从P型氮化镓层到衬底的方向上刻蚀沟槽，暴露出部分N型氮化镓层，得到第一外延片；对第一外延片进行第一次清洗干燥；在第一外延片的P型氮化镓层上沉积钝化层作为硬质掩膜，得到第二外延片；对第二外延片进行等离子体轰击，得到第三外延片；去除第三外延片中的硬质掩膜并进行第二次清洗干燥。本方法通过等离子体的轰击作用，可显著增强暴露出的部分N型氮化镓层近表面区域中氮空位的浓度，从而提高载流子浓度和电流扩展性，增强Micro‑LED阵列的的发光亮度和阵列的发光均匀性。此外，本发明还提供了一种外延片和一种Micro‑LED阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 处理 方法 micro led 阵列 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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