[发明专利]外延片处理方法、外延片和Micro-LED阵列

权利要求书

1.一种外延片处理方法，应用于外延片，所述外延片的结构自下而上包括衬底、N型氮化镓层和P型氮化镓层，其特征在于，所述方法包括：

在初始外延片上从所述P型氮化镓层到衬底的方向上刻蚀沟槽，暴露出部分所述N型氮化镓层，得到第一外延片；

对所述第一外延片进行第一次清洗干燥；

在所述第一外延片的所述P型氮化镓层上沉积钝化层作为硬质掩膜，得到第二外延片；

对所述第二外延片进行等离子体轰击，以打断N型氮化镓层中镓与氮之间的化学键，以使氮原子从N型氮化镓层中脱附，留下氮空位，得到第三外延片；

去除所述第三外延片中的硬质掩膜并进行第二次清洗干燥。

2.根据权利要求1所述的外延片处理方法，其特征在于，所述外延片的结构还包括：缓冲层、不掺杂的氮化镓层、多层量子阱层；

所述外延片的结构自下而上依次为：衬底、缓冲层、不掺杂的氮化镓层、N型氮化镓层、多层量子阱层和P型氮化镓层。

3.根据权利要求1所述的外延片处理方法，其特征在于，所述在初始外延片上从所述P型氮化镓层到衬底的方向上刻蚀沟槽，包括：

采用湿法刻蚀、反应离子刻蚀或电感耦合等离子体刻蚀中的一种刻蚀方式在初始外延片上从所述P型氮化镓层到衬底的方向上刻蚀沟槽。

4.根据权利要求1所述的外延片处理方法，其特征在于，所述第一次清洗干燥包括：

将所述第一外延片分别在丙酮、异丙醇溶液中浸泡；

采用去离子水冲洗所述第一外延片；

采用氮气吹扫所述第一外延片，在热板上对所述第一外延片进行加热。

5.根据权利要求1所述的外延片处理方法，其特征在于，所述在所述第一外延片的所述P型氮化镓层上沉积钝化层作为硬质掩膜，包括：

采用等离子体增强化学气相沉积技术在所述第一外延片的P型氮化镓层一侧沉积二氧化硅钝化层或氮化硅钝化层作为硬质掩膜；

采用光刻技术将所述暴露出的部分N型氮化镓层上沉积的硬质掩膜去除。

6.根据权利要求1所述的外延片处理方法，其特征在于，所述对所述第二外延片进行等离子体轰击，包括：

将所述第二外延片放入清腔后的反应离子刻蚀机的腔体中，采用惰性元素的等离子体进行轰击。

7.根据权利要求1所述的外延片处理方法，其特征在于，所述去除所述第三外延片中的硬质掩膜，包括：

将所述第三外延片放入稀盐酸中浸泡，去除由所述等离子体轰击带来的污染物；

将所述第三外延片放入缓冲氧化物刻蚀液中浸泡，去除硬质掩膜，得到第四外延片。

8.根据权利要求7所述的外延片处理方法，其特征在于，所述第二次清洗干燥包括：

将所述第四外延片分别在丙酮、异丙醇溶液中分别浸泡；

采用去离子水冲洗所述第四外延片；

采用氮气吹扫所述第四外延片。

9.一种外延片，其特征在于，所述外延片是采用权利要求1～8中任意一项的所述处理方法处理得到。

10.一种Micro-LED阵列，其特征在于，所述Micro-LED阵列是由权利要求9中的所述外延片制备得到。